Transistor من الجرانيوم بأربعة أضعاف سرعة الترانزستور العادى
قام العلماء فى جامعة MIT بابتكار نوع جديد من الترانزستور يطلق عليه “p-type device”، والذى يعتمد على عنصر الجرانيوم فى تكوينه والذى يعتبر من السهولة استخدامه وإضافته إلى الرقائق الالكترونية “microchips” الموجودة فى السوق.
فقد تمكن العلماء من بناء طبقة من الجرانيوم فوق طبقة من السليكون فوق طبقة من خليط الجرانيوم والسليكون، وهذا التكوين يستفيد من سريان “holes” او الفراغات والثقوب التى تتكون فى البناء الذرى حيث يقوم الترانزستور بتقريب الذرات ببعضها البعض مما يساعد على زيادة السرعة الى أضعاف ما ينتج من سريان الالكترونات الحرة.
والشئ الأكثر أهمية فى هذا النوع، أنه يدعم ما يسمى بالبوابات الثلاثية “Trigate”. حيث من المعتاد أن يقوم الترانزستور بفتح أو إغلاق البوابات ليتحكم فى مسار الإلكترونات، فهذه الخاصية تساعد على زيادة سرعة التحويل من الحالة “on” الى الحالة “off” بنسبة 37% أكبر، وتساعد على تقليل استهلاك الطاقة الى 50% عن مثيلاتها.
يجد الإشارة إلى أن الترانزستور الآن يعانى من مشكلة التصغير بشكل مطرد الأمر الذى يجعل من الصعوبة التحكم فى البوابة بشكل ثابت، مما حفز العلماء على البحث عن طرق أكثر ثبات للتحكم بها ومن بين الأبحاث التى تمت هذا البحث والذى يدعمه وكالة مشاريع البحث العلمى المتطورة التابعة لوزارة الدفاع الأمريكية “DARPA” ومؤسسة “Semiconductor Research”.
